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RSR010N10TL
0.096
RSR010N10TL 数据手册 (14 页)
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RSR010N10TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
1 W
输入电容
140 pF
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
540 mW
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
540mW (Ta)

RSR010N10TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RSR010N10TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 1.97 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.71 MByte

RSR010N10 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
MOS场效应管 RSR010N10TL ZJ SOT-346(SC-59)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSR010N10FHATL  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 1 A, 100 V, 0.37 ohm, 10 V, 2.5 V
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