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RSR015P03TL
0.052
RSR015P03TL 数据手册 (5 页)
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RSR015P03TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-1.50 A
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
235 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
190pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

RSR015P03TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
0.85 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RSR015P03TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.23 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RSR015P03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSR015P03 P沟道MOS场效应管 -30V -1.5A 0.17ohm SOT-23 marking/标记 SM 低导通电阻 4V驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSR015P03TL  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.5 A, -30 V, 235 mohm, -10 V, 2.5 V
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