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RSR025P03TL
0.129
RSR025P03TL 数据手册 (6 页)
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RSR025P03TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-2.50 A
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
115 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
460pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

RSR025P03TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
0.85 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RSR025P03TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 0.1 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

RSR025P03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSR025P03 P沟道MOS场效应管 -30V 2.5A 0.070ohm SOT-23 marking/标记 WY 低导通电阻 4V驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSR025P03TL 编带
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ROHM  RSR025P03FRATL  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V 新
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