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RT1A050ZPTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

RT1A050ZPTR 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RT1A050ZPTR 数据手册 (13 页)

封装尺寸在11 页

RT1A050ZPTR 数据手册 (13 页)

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RT1A050ZPTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SMD-8

极性

P-CH

功耗

600mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

95 ns

输入电容值(Ciss)

2800pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

220 ns

耗散功率(Max)

600mW (Ta)

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RT1A050ZPTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RT1A050ZPTR 符合标准

RT1A050ZPTR 概述

RT1A050ZPTR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.44 MByte

RT1A050ZPTR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.44 MByte

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