￥ 0.001

RTQ045N03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RTQ045N03TR 数据手册 (4 页)

封装尺寸在1 页

RTQ045N03TR 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RTQ045N03TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

4.50 A

封装

TSOT-23-6

漏源极电阻

420 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.50 A

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

540pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta)

查看数据手册 >

RTQ045N03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RTQ045N03TR 符合标准

RTQ045N03TR 概述

RTQ045N03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.92 MByte

RTQ045N03TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.06 MByte

RTQ045N03TR 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

RTQ045N03 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RTQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QM

RTQ045N03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET

RTQ045N03FRATR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RTQ045N03FRATR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.5 V

RTQ045N03-TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RTQ045N03_1 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号