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RTR025P02FRATL
0.179
RTR025P02FRATL 数据手册 (5 页)
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RTR025P02FRATL 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TSMT
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
P-Channel
功耗
1 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
工作温度(Max)
150 ℃

RTR025P02FRATL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

RTR025P02FRATL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.23 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.08 MByte

RTR025P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTR025P02 P沟道MOS场效应管 -20V 2.5A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 TY 低导通电阻 内置栅源保护二极管
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTR025P02FRATL  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -2 V
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