RTR025P02TL

￥ 0.109

RTR025P02TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RTR025P02TL 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

RTR025P02TL 数据手册 (5 页)

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RTR025P02TL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-2.50 A

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

115 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

630pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Ta)

查看数据手册 >

RTR025P02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

0.85 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RTR025P02TL 符合标准

RTR025P02TL 海关信息

RTR025P02TL 数据手册

RTR025P02TL 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.09 MByte

RTR025P02TL 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.08 MByte

RTR025P02TL 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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