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RTR040N03TL
0.12
RTR040N03TL 数据手册 (14 页)
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RTR040N03TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.066 Ω
极性
N-Channel
功耗
1 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
475pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1W (Ta)

RTR040N03TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.60 mm
高度
0.85 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RTR040N03TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 1.85 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.06 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 1.89 MByte

RTR040N03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTR040N03 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-23/SC-59 marking/标记 QV 逻辑电平
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTR040N03TL  晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RTR040N03FRATL  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
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