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RUE003N02TL
0.019
RUE003N02TL 数据手册 (5 页)
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RUE003N02TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
0.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 mW
阈值电压
300 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.3A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
25pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
150 mW
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150mW (Ta)

RUE003N02TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.6 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.7 mm
工作温度
150℃ (TJ)

RUE003N02TL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.09 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.09 MByte

RUE003N02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1.8V驱动N沟道MOSFET 1.8V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1.8V驱动N沟道MOSFET 1.8V Drive Nch MOSFET
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