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RW1A030APT2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RW1A030APT2CR 数据手册 (8 页)

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RW1A030APT2CR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-563-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

极性

P-Channel

功耗

700 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

12 V

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

2700pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

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RW1A030APT2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RW1A030APT2CR 符合标准

RW1A030APT2CR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 0.47 MByte

RW1A030APT2CR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.41 MByte

RW1A030APT2CR 产品封装文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.07 MByte

RW1A030APT2CR 产品手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

38 页 / 10.45 MByte

RW1A030APT2 数据手册

RW1A030APT2CR 数据手册

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晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V

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