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S2000N
2.376
S2000N 数据手册 (4 页)

S2000N 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-3
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
1500 V
集电极最大允许电流
8A

S2000N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

S2000N 数据手册

Toshiba(东芝)
4 页 / 0.19 MByte
Toshiba(东芝)
2 页 / 2.03 MByte
Toshiba(东芝)
21 页 / 1.04 MByte

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