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S29GL512T10TFI023
0.217
S29GL512T10TFI023 数据手册 (105 页)
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S29GL512T10TFI023 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
56 Pin
封装
TSOP
位数
8, 16 Bit
存取时间(Max)
100 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V

S29GL512T10TFI023 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

S29GL512T10TFI023 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
105 页 / 9.8 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
51 页 / 0.64 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
110 页 / 2.6 MByte

S29GL512T10 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NOR闪存 NOR
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
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