￥ 3.054

S34ML01G100BHI000 数据手册 - Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

制造商:

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

分类:

Flash芯片

封装:

BGA-63

描述:

S34ML 系列 1 Gb (128 M x 8) 3.3 V 表面贴装 NAND 闪存 - BGA-63

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

S34ML01G100BHI000 数据手册 (80 页)

引脚图在7 页Hot

封装尺寸在61 页

典型应用电路图在5 页

原理图在8 页

S34ML01G100BHI000 数据手册 (80 页)

查看文档

或点击图片查看大图

S34ML01G100BHI000 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

63 Pin

电源电压

2.70V (min)

封装

BGA-63

供电电流

30 mA

位数

8 Bit

存取时间(Max)

20 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

3.3 V

查看数据手册 >

S34ML01G100BHI000 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 85℃

查看数据手册 >

S34ML01G100BHI000 符合标准

S34ML01G100BHI000 概述

S34ML01G100BHI000 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

80 页 / 1.87 MByte

S34ML01G100BHI000 其他数据使用手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

73 页 / 1.84 MByte

S34ML01G100 数据手册

S34ML01G100TFI000 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

S34ML01G1 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48

S34ML01G100TFI000 数据手册

Spansion（飞索半导体）

NAND 闪存，Spansion**Spansion** 闪存系列 (**ML NAND**) 在 3V 工作时提供高性能。 Spansion ML NAND 闪存产品的存储器大小跨度为 1Gb 至 4Gb。 SLC NAND 电池为您的嵌入式数据存储应用需求提供可靠的解决方案。除此之外，NAND 闪存还带有并行接口，采用 TSOP 或 BGA 封装形式。 Spansion ML Nand 闪存组织格式范围： 128M x 8 位，64M x 16 位 - **S34ML01G100BHI000**，**S34ML01G100TFI000** 128M x 16 位，256M x 8 位 - **S34ML02G100BHI000**，**S34ML02G100TFI000** 256M x 16 位，512M x 8 位 - **S34ML04G100BHI000**，**S34ML04G100TFI000** ### NAND 闪存

S34ML01G100TFI003 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

S34ML01G1 系列 1 Gb (128M x 8) 3 V 表面贴装嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48

S34ML01G100BHI000 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

S34ML 系列 1 Gb (128 M x 8) 3.3 V 表面贴装 NAND 闪存 - BGA-63

S34ML01G100BHI000 数据手册

Spansion（飞索半导体）

SPANSION S34ML01G100BHI000 闪存, 与非, 1 Gbit, 128M x 8位, 并行, BGA, 63 引脚

S34ML01G100BHI003 数据手册

Cypress Semiconductor（赛普拉斯）

NAND闪存 S34ML01G100BHI003 BGA-63