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S34ML08G101TFI200
器件3D模型
8.209
S34ML08G101TFI200 数据手册 (20 页)
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S34ML08G101TFI200 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-48
针脚数
48 Position
存取时间
25 ns
内存容量
1024000000 B
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

S34ML08G101TFI200 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Each

S34ML08G101TFI200 数据手册

Spansion(飞索半导体)
20 页 / 0.57 MByte
Spansion(飞索半导体)
20 页 / 0.78 MByte
Spansion(飞索半导体)
4 页 / 0.15 MByte

S34ML08G101 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S34ML08G 系列 8 Gb (1G x 8) 3 V 表面贴装 嵌入式 NAND 闪存 - TSOP-48
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML08G101TFI000  闪存, 与非, 8 Gbit, 1G x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
S34ML08G1 系列 8 Gb (1G x 8) 3 V 25 ns 嵌入式 NAND 闪存 - BGA-63
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 与非, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML08G101BHI000  闪存, 与非, 8 Gbit, 1G x 8位, 并行, BGA, 63 引脚
Spansion(飞索半导体)
NAND闪存 8Gb, 3V, 25ns NAND闪存
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S34ML08G101TFI200  闪存, 与非, 8 Gbit, 1G x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
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