￥ 0.028

SBC817-40LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR SBC817-40LT1G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SBC817-40LT1G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在10 页

SBC817-40LT1G 数据手册 (10 页)

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SBC817-40LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

250 @100mA, 1V

额定功率(Max)

300 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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SBC817-40LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.04 mm

宽度

2.64 mm

高度

1.11 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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SBC817-40LT1G 符合标准

SBC817-40LT1G 海关信息

SBC817-40LT1G 概述