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SBC846BWT1G
器件3D模型
0.024
SBC846BWT1G 数据手册 (13 页)
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SBC846BWT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

SBC846BWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SBC846BWT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.72 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.04 MByte

SBC846BWT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  SBC846BWT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE 新
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