￥ 33.553

SCH2080KEC 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

ROHM SCH2080KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SCH2080KEC 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SCH2080KEC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.08 Ω

极性

N-Channel

功耗

179 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1200 V

连续漏极电流(Ids)

35A

上升时间

33 ns

输入电容值(Ciss)

1850pF @800V(Vds)

额定功率(Max)

179 W

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

262W (Tc)

查看数据手册 >

SCH2080KEC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.9 mm

宽度

20.95 mm

高度

5.03 mm

工作温度

175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SCH2080KEC 符合标准

SCH2080KEC 海关信息

SCH2080KEC 概述

SCH2080KEC 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 0.68 MByte

SCH2080KEC 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.09 MByte

SCH2080KEC 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCH2080 数据手册

SCH2080KEC 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM SCH2080KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V

SCH2080KECU 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

SCH2080KE 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

N沟道SiC功率MOSFET共同封装采用SiC -SBD N-channel SiC power MOSFET co-packaged with SiC-SBD

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号