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SCT2080KEC
11.896
SCT2080KEC 数据手册 (14 页)
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SCT2080KEC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
179 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
1200 V
上升时间
36 ns
输入电容值(Ciss)
2080pF @800V(Vds)
额定功率(Max)
179 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
262W (Tc)

SCT2080KEC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.9 mm
宽度
20.95 mm
高度
5.03 mm
工作温度
175℃ (TJ)

SCT2080KEC 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 0.92 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
15 页 / 0.79 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
41 页 / 0.88 MByte

SCT2080 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  SCT2080KEC  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V
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