SCT2280KEC

￥ 31.609

SCT2280KEC 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

ROHM SCT2280KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, 18 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SCT2280KEC 数据手册 (14 页)

SCT2280KEC 数据手册 (14 页)

1 技术参数、封装参数

4

5

6

或点击图片查看大图

SCT2280KEC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.28 Ω

极性

N-Channel

功耗

108 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1200 V

连续漏极电流(Ids)

14A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

667pF @800V(Vds)

额定功率(Max)

108 W

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

108W (Tc)

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SCT2280KEC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.95 mm

宽度

15.9 mm

高度

5.03 mm

工作温度

175℃ (TJ)

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SCT2280KEC 符合标准

SCT2280KEC 海关信息

SCT2280KEC 概述

SCT2280KEC 数据手册

SCT2280KEC 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 0.88 MByte

SCT2280KEC 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.02 MByte

SCT2280KEC 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCT2280 数据手册

SCT2280KEC 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM SCT2280KEC 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, 18 V, 4 V

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