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SCT3030ALGC11 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

SCT3030AL 系列 650 V 70 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SCT3030ALGC11 数据手册 (15 页)

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SCT3030ALGC11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

30 mΩ

功耗

262 W

阈值电压

5.6 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

上升时间

41 ns

输入电容值(Ciss)

1526pF @500V(Vds)

下降时间

27 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

262W (Tc)

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SCT3030ALGC11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

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SCT3030ALGC11 符合标准

SCT3030ALGC11 海关信息

SCT3030ALGC11 概述

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.06 MByte

SCT3030ALGC11 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.06 MByte

SCT3030ALGC11 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

SCT3030ALGC11 产品描述及参数

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.26 MByte

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