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SCT3080KRC14
15.69
SCT3080KRC14 数据手册
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SCT3080KRC14 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-247-4
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.08 Ω
功耗
165 W
阈值电压
5.6 V
漏源极电压(Vds)
1.2 kV
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
785pF @800V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
165 W

SCT3080KRC14 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
175℃ (TJ)

SCT3080KRC14 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 1.6 MByte

SCT3080 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, 18 V, 5.6 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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