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SCT3160KLGC11 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

SCT3160KL 系列 1200 V 17 A 208 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SCT3160KLGC11 数据手册 (15 页)

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SCT3160KLGC11 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

160 mΩ

功耗

103 W

阈值电压

5.6 V

漏源极电压(Vds)

1200 V

漏源击穿电压

1200 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

398pF @800V(Vds)

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

103W (Tc)

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SCT3160KLGC11 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

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SCT3160KLGC11 符合标准

SCT3160KLGC11 海关信息

SCT3160KLGC11 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

15 页 / 1.07 MByte

SCT3160KLGC11 其他数据使用手册

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15 页 / 1.07 MByte

SCT3160KLGC11 开发手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

41 页 / 0.88 MByte

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