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SD2932W
172.42
SD2932W 数据手册 (23 页)
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SD2932W 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
175 MHz
引脚数
5 Pin
额定电流
40 A
封装
M-244
功耗
500 W
漏源击穿电压
125 V
输出功率
300 W
增益
16 dB
测试电流
500 mA
输入电容值(Ciss)
480pF @50V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500000 mW
额定电压
125 V

SD2932W 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-65℃ ~ 200℃

SD2932W 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 0.61 MByte

SD2932 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
Advanced Semiconductor
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
SD2932 系列 250 MHz 300W 125V N-沟道 高频/甚高频/特高频 射频 功率晶体管 - M-244
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF power transistors HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
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