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SGD02N60BUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SGD02N60BUMA1 数据手册 (12 页)

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SGD02N60BUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

功耗

30000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

30 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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SGD02N60BUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SGD02N60BUMA1 符合标准

SGD02N60BUMA1 概述

SGD02N60BUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.34 MByte

SGD02N60BUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SGD02N60BUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

SGD02N60BUMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 2 MByte

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在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

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