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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Fairchild(飞兆/仙童) > SGH80N60UFDTU Datasheet 文档
SGH80N60UFDTU
1.958

SGH80N60UFDTU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
28.0 A
封装
TO-3-3
额定功率
195 W
极性
N-Channel
功耗
195 W
上升时间
50.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
95 ns
额定功率(Max)
195 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
195000 mW

SGH80N60UFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
18.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SGH80N60UFDTU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.66 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.88 MByte

SGH80N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
超快速IGBT Ultra-Fast IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
超快IGBT Ultrafast IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
MOS(场效应管)/SGH80N60UFD
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
超快速IGBT Ultra-Fast IGBT
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Fairchild(飞兆/仙童)
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