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SGP15N120
3.231
SGP15N120 数据手册 (12 页)
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SGP15N120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
198 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
额定功率(Max)
198 W

SGP15N120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Design
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
9.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SGP15N120 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte

SGP15 数据手册

Infineon(英飞凌)
在NPT技术降低40 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
Infineon(英飞凌)
在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology
Infineon(英飞凌)
ON Semiconductor(安森美)
Infineon(英飞凌)
在NPT技术降低40 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
Fairchild(飞兆/仙童)
短路额定IGBT Short Circuit Rated IGBT
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