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SI1308EDL-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1308EDL-T1-GE3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI1308EDL-T1-GE3 数据手册 (11 页)

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SI1308EDL-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.11 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.4 W

阈值电压

600 mV

输入电容

105 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

1.5A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

105pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400 mW

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SI1308EDL-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI1308EDL-T1-GE3 符合标准

SI1308EDL-T1-GE3 海关信息

SI1308EDL-T1-GE3 概述

SI1308EDL-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.24 MByte

SI1308EDL-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.24 MByte

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