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SI1539DL-T1
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SI1539DL-T1 数据手册 (12 页)
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SI1539DL-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363
漏源极电阻
480 mΩ, 940 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
300 mW
漏源击穿电压
±30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V

SI1539DL-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI1539DL-T1 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.25 MByte
Vishay Siliconix
7 页 / 0.08 MByte

SI1539 数据手册

VISHAY(威世)
SI1539CDL-T1-GE3 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1539CDL-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V
VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 2.6 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1539DL-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 540 mA, 30 V, 0.41 ohm, 10 V, 2.6 V
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
补充30 -V (D -S )的MOSFET Complementary 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
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