￥ 0.146

SI2300DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2300DS-T1-GE3 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2300DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

0.055 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.7 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

320pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

查看数据手册 >

SI2300DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SI2300DS-T1-GE3 符合标准

SI2300DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

7 页 / 0.11 MByte

SI2300DST1 数据手册

SI2300DS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N沟道,30V,3.6A,68mΩ@4.5V

SI2300DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2300DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2300DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 600 mV

SI2300DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号