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SI2301CDS-T1-E3
0.11
SI2301CDS-T1-E3 数据手册 (8 页)
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SI2301CDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
P-CH
功耗
1.6 W
阈值电压
400 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
405pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.6 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
860 mW

SI2301CDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
3000

SI2301CDS-T1-E3 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.19 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.09 MByte

SI2301CDST1 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2301CDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 0.11 ohm, -2.5 V, -400 mV
Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
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