￥ 0.253

SI2302ADS-T1 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

N沟道MOS管

封装:

SOT-23

描述:

N沟道1.25 W， 2.5 V MOSFET N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI2302ADS-T1 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2302ADS-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

正向电压

760 mV

漏源极电阻

45.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

900 mW

漏源极电压(Vds)

20.0 V

漏源击穿电压

20.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.10 A

上升时间

55.0 ns

SI2302ADS-T1 符合标准

SI2302ADS-T1 数据手册

SI2302ADS-T1 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.19 MByte

SI2302 数据手册

Micro Commercial Components（美微科）

SI2302 数据手册

Microchip（微芯）

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI2302DDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

SI2302-TP 数据手册

Micro Commercial Components（美微科）

N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302A-TP 数据手册

Micro Commercial Components（美微科）

MOS管

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号