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SI2302ADS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2302ADS-T1-E3 数据手册 (2 页)

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SI2302ADS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.7 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

2.40 A, 2.10 A

上升时间

80 ns

输出功率

700 mW

热阻

140℃/W (RθJA)

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

SI2302ADS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI2302ADS-T1-E3 符合标准

SI2302ADS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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