￥ 0.606

SI2302CDS-T1-E3 数据手册 - Vishay Intertechnology

制造商:

Vishay Intertechnology

封装:

SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2302CDS-T1-E3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在5 页 6 页

SI2302CDS-T1-E3 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2302CDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

0.045 Ω

功耗

710 mW

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

SI2302CDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

宽度

1.6 mm

查看数据手册 >

SI2302CDS-T1-E3 符合标准

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

9 页 / 0.21 MByte

SI2302CDS-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Intertechnology

8 页 / 0.2 MByte

SI2302CDST1 数据手册

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2302CDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 400 mV

SI2302CDS-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

SI2302CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号