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SI2302DS,215
0.09
SI2302DS,215 数据手册 (12 页)
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SI2302DS,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.056 Ω
极性
N-Channel
功耗
830 mW
阈值电压
650 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
输入电容值(Ciss)
230pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
830 mW
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
830mW (Tc)

SI2302DS,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2302DS,215 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.25 MByte
NXP(恩智浦)
5 页 / 0.14 MByte

SI2302 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
Microchip(微芯)
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
Micro Commercial Components(美微科)
N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V
Micro Commercial Components(美微科)
MOS管
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