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SI2302DS,215
0.488
SI2302DS,215 数据手册 (14 页)
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SI2302DS,215 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
830 mW
上升时间
23 ns
下降时间
34 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

SI2302DS,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm

SI2302DS,215 数据手册

Nexperia(安世)
14 页 / 0.21 MByte

SI2302 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
Microchip(微芯)
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
Micro Commercial Components(美微科)
N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V
Micro Commercial Components(美微科)
MOS管
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