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SI2302-TP
0.012
SI2302-TP 数据手册 (5 页)
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SI2302-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
N-CH
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
237pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

SI2302-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2302-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
5 页 / 0.29 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.67 MByte

SI2302 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
Microchip(微芯)
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
20V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2302CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 20 V, 0.045 ohm, 8 V, 850 mV
Micro Commercial Components(美微科)
N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V
Micro Commercial Components(美微科)
MOS管
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