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SI2304DDS-T1-GE3
0.121
SI2304DDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI2304DDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
0.049 Ω
功耗
1.1 W
阈值电压
2.2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
235pF @15V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

SI2304DDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2304DDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.23 MByte
Vishay Siliconix
11 页 / 0.23 MByte

SI2304DDST1 数据手册

VISHAY(威世)
30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2304DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
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