￥ 0.128

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P沟道8 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI2305CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.7 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

8 V

连续漏极电流(Ids)

4.4A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

960pF @4V(Vds)

额定功率(Max)

1.7 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

960 mW

查看数据手册 >

SI2305CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

查看数据手册 >

SI2305CDS-T1-GE3 符合标准

SI2305CDS-T1-GE3 海关信息

SI2305CDS-T1-GE3 概述

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.21 MByte

SI2305CDS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.22 MByte

SI2305CDS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

SI2305CDST1 数据手册

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道8 V （D -S ）的MOSFET P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI2305CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 V

SI2305CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号