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SI2306BDS-T1-GE3
0.254
SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2306BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-236-3

SI2306BDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
8 页 / 0.2 MByte

SI2306BDST1 数据手册

VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2306BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
Vishay Intertechnology
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