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SI2308BDS-T1-E3/BKN
0.22
SI2308BDS-T1-E3/BKN 数据手册 (7 页)
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SI2308BDS-T1-E3/BKN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-236
漏源极电阻
0.192 Ω
功耗
1.66 W
输入电容
190pF @30V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
热阻
115℃/W (RθJA)
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI2308BDS-T1-E3/BKN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
3.04 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI2308BDS-T1-E3/BKN 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.12 MByte

SI2308BDST1E3 数据手册

VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2308BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
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