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SI2308CDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOT-23

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2308CDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)

SI2308CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

功耗

0.9 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

105pF @30V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

900 mW

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SI2308CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI2308CDS-T1-GE3 符合标准

SI2308CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.23 MByte

SI2308CDST1 数据手册

SI2308CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 3 V

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