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SI2312BDS-T1-E3/BKN 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2312BDS-T1-E3/BKN 数据手册 (5 页)

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SI2312BDS-T1-E3/BKN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

漏源极电阻

0.047 Ω

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

热阻

100℃/W (RθJA)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI2312BDS-T1-E3/BKN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

3.04 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2312BDS-T1-E3/BKN 符合标准

SI2312BDS-T1-E3/BKN 数据手册

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