●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.057Ω/Ohm @3.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested 描述与应用| 功率MOSFET 100％的Rg测试
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单 N 沟道 20 V 0.031 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
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20V,3.9A,N沟道功率MOSFET
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VISHAY SI2312BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV
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