￥ 0.097

SI2312CDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

SI2312CDS-T1-GE3 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI2312CDS-T1-GE3 数据手册 (7 页)

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SI2312CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0265 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

450 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

865pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

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SI2312CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI2312CDS-T1-GE3 符合标准

SI2312CDS-T1-GE3 海关信息

SI2312CDS-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

7 页 / 0.12 MByte

SI2312CDS-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.24 MByte

SI2312CDS-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

SI2312CDS-T1-GE3 产品手册

VISHAY（威世）

4 页 / 0.05 MByte

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