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SI2312CDS-T1-GE3
0.126
SI2312CDS-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI2312CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3

SI2312CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
宽度
1.6 mm

SI2312CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
11 页 / 0.24 MByte

SI2312CDST1 数据手册

VISHAY(威世)
SI2312CDS-T1-GE3 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2312CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 26500 µohm, 4.5 V, 450 mV
Vishay Intertechnology
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