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SI2323DS-T1
0.306
SI2323DS-T1 数据手册 (9 页)
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SI2323DS-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
漏源极电阻
39.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
漏源击穿电压
-20.0 V
连续漏极电流(Ids)
-4.70 A

SI2323DS-T1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 0.18 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.09 MByte

SI2323 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道20 V (D -S )的MOSFET P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2323DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2323CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -400 mV
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