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SI2328DS-T1
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SI2328DS-T1 数据手册 (5 页)
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SI2328DS-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
250 mΩ
极性
N-Channel
功耗
730 mW
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A

SI2328DS-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI2328DS-T1 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.07 MByte

SI2328 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2328DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2328DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 195 mohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
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