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SI2337DS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

描述:

VISHAY SI2337DS-T1-E3 晶体管, P沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2337DS-T1-E3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI2337DS-T1-E3 数据手册 (10 页)

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SI2337DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.216 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

-80.0 V

连续漏极电流(Ids)

-2.20 A

上升时间

15 ns

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI2337DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

3.04 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2337DS-T1-E3 符合标准

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