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SI3457DV
0.37
SI3457DV 数据手册 (16 页)
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SI3457DV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-4.00 A
封装
TSOT-23-6
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
470pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
6 ns
耗散功率(Max)
1.6W (Ta)

SI3457DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI3457DV 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
16 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte

SI3457 数据手册

VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
SI3457DV系列 P沟道 30 V 50 mOhms 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3457BDV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -3 V
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