器件3D模型

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SI3460DV-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP

描述:

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI3460DV-T1 数据手册 (5 页)

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SI3460DV-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOP

漏源极电阻

27.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.10 W

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

6.80 A

上升时间

30 ns

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

SI3460DV-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

SI3460DV-T1 符合标准

SI3460DV-T1 数据手册

SI3460DV-T1 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

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